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电子元器件详细资料 » IC[11867] » BC848CDW1T1G
型号:BC848CDW1T1G类别:晶体管(BJT) - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列
描述TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-363
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 NPN(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22230V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222600mV @ 5mA,100mA
电流_集电极截止111最大222-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)420 @ 2mA,5V
功率_最大380mW
频率_转换100MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装剪切带 (CT)

供应商

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深圳市金亿泰电子有限公司郑086-755-83252273
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